如何看待长晶技术新趋势？业界权威这样预测

“预计2018年单晶市场占有率为39%，2019年为46%，2020年单多晶市场份额达到平衡。”近日，彭博新能源光伏高级分析师江亚俐在杭州召开的晶体硅生长技术论坛上做出预测。与会专家透露铸锭单晶技术已经量产，未来会抢占直拉单晶市场。

此次论坛由亚化咨询主办，云集了协鑫、隆基、阿特斯、荣德等主流长晶企业技术专家，精功科技、晶盛机电、GTAT等设备制造商负责人，以及浙江大学、江苏大学教授等权威专家。众多“大咖”一起畅谈未来长晶技术发展新趋势。

多晶黑硅PERC是促进平价上网的有力武器

江亚俐预测，保守估计2018-2020年全球光伏装机量为96.8吉瓦、123吉瓦、146.4吉瓦;乐观预测分别为107.2吉瓦、138.3吉瓦、165.4吉瓦。单晶产能快速增长，并以下调价格的方式获取市场份额，2020年单多晶市场份额达到平衡。

2018年，金刚线技术在多晶领域的全面推广成为光伏产业的里程碑事件，“金刚线技术的应用，助力多晶硅片成本大幅下降，占比由2017年的37%提升到2018年的99%。黑硅技术解决了多晶金刚线切制绒问题，其中湿法黑硅占比56%”，江亚俐表示。

阿特斯技术总监王栩生表达了类似的观点，他在《阿特斯高效多晶技术与战略》报告中认为，金刚线切片在多晶上的应用是个巨大的宝藏，降本达29%，而黑硅是打开宝藏的钥匙。目前湿法黑硅技术已经完全成熟，其量产设备达到200台，产能达到25吉瓦以上，且黑硅制绒直接替代常规酸制绒，无需增加工序。

王栩生表示，其多晶黑硅P4产品已经实现吉瓦级量产，60片组件功率超过300瓦。P4量产电池效率达到20.4%，未来将达到21%，度电成本较单晶PERC下降1.2%;组件经长期户外测试平均光衰仅1%，且弱光响应好。此外，其多晶P5超高效硅锭技术电池平均效率已达21.1%，达到技术领跑者满分要求。

“黑硅PERC技术可以达到1+1>2的效果”，荣德新能源技术负责人常传波在《更适合于PERC工艺和金刚线切割的高品质多晶硅锭制造技术》报告中表示，单纯黑硅技术提效0.4%，PERC技术提效0.85%，但是多晶黑硅+PERC技术可以提效1.45%。而且，通过共掺低阻、控制金属杂质，可以有效降低多晶PERC工艺光衰。

铸锭单晶产品性价比持续提升

“更低氧含量、更低衰减、无缺角，铸锭单晶产品性价比优势非常明显”，江苏协鑫硅材料总经理游达博士在《GCL铸锭单晶技术进展》报告中表示。

游达博士认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。部分下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差最少仅为0.18%，而成本大幅降低。而且，数据显示，铸锭单晶光衰比Cz单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。

“铸锭单晶硅片还可以更好的兼容下游终端产品，由于不存在缺角，其硅片面积100%可利用，比Cz单晶面积大2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。在同功率输出的条件下，铸锭单晶组件价格比Cz单晶低0.06元/瓦，度电成本低0.006元/度。”游达博士表示。

阿特斯在铸锭单晶方面也有较大进展，王栩生表示，阿特斯P5超高效多晶硅锭技术采用籽晶引晶，铸锭单晶面积达到95%以上，采用湿法黑硅技术解决非全单晶硅片制绒问题，以多晶的成本达到单晶的品质。

CCz是直拉单晶技术的发展方向

近两年，单晶PERC的市场份额增速很快，成为主流光伏技术路线。“但是单晶PERC有更严重的硼-氧光致衰减问题，可以造成6%的功率损耗”，GTAT长晶总监徐瀚博士在《CCz连续直拉单晶技术》报告中认为，“低阻片(重掺硼)会提高PERC电池效率，但也会增加光致衰减，通过掺镓可以解决。但是，掺镓会导致超宽的电阻率，从而增加生产成本。CCz(连续直拉技术)可以完美解决这一难题。”

徐瀚博士表示，由于连续投料和掺杂，CCz技术可以得到非常均匀的轴向电阻率分布，氧含量更低且更均匀、少子寿命也更加一致，这使得CCz单晶硅片更适用于高效N型和镓掺杂的P型电池。

隆基股份硅片事业部副总裁谢天在《高效电池用单晶硅材料的挑战与解决之道》报告中也表示，未来高效产能将逐步增加，但目前高效单晶面临的主要挑战是光衰问题。谢天表示看好未来CCz技术的发展，他认为，电阻率更加集中是CCz的优势，而且目前坩埚的问题已经解决。但CCz技术同时面临多晶硅破碎料的供给不足、锅底料金属含量升高(少子寿命降低)、碳含量升高等难题，如果克服这些问题，CCz技术将有非常好的发展前景。